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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心半導(dǎo)體光學(xué)檢測(cè)系列SiC襯底位錯(cuò)缺陷無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)
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半導(dǎo)體光學(xué)檢測(cè)系列
18698665927
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高速線陣CMOS探測(cè)技術(shù)的演變與未來(lái)趨勢(shì)
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納秒瞬態(tài)吸收光譜的優(yōu)勢(shì)探討
如何根據(jù)需求選擇熒光光譜儀?
碳化硅襯底檢測(cè),碳化硅成像檢測(cè),碳化硅襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng):最高檢測(cè)速度:<17min/片(6“);BPD、TSD、TED分類識(shí)別。
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