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超快泵浦探測(cè)陰影成像系統(tǒng)
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產(chǎn)品分類超快泵浦探測(cè)陰影成像系統(tǒng)UPSI100主要利用調(diào)節(jié)pump和probe光之間的光程差來進(jìn)行測(cè)試。首先激光打在樣品上,樣品表面會(huì)產(chǎn)生一定程度的損毀,由于本過程很快(ps量級(jí))因此單使用相機(jī)連續(xù)采集不能夠完整的觀察到整個(gè)損毀的過程。在本儀器中,當(dāng)每一次激光打在樣品后,便可通過延遲線調(diào)節(jié)兩個(gè)光脈沖之間的延遲,從而分別采集激光打在樣品后不同時(shí)刻樣品損毀情況。
超快泵浦探測(cè)陰影成像系統(tǒng)UPSI100主要技術(shù)指標(biāo):
檢測(cè)模式 | 超快光損傷/等離子濺射 |
時(shí)間窗口范圍 | 8 ns |
探測(cè)器類型 | ICCD,門控時(shí)間3 ns |
探測(cè)時(shí)間分辨率 | 1.5倍激光脈寬 |
激發(fā)光聚焦鏡頭 | 20X/50X 可選 |
樣品移動(dòng)方式 | 全自動(dòng)樣品二維電控移動(dòng)平臺(tái) |
軟件功能 | 數(shù)據(jù)采集/分析軟件 |
本功能主要利用相機(jī)的門采集功能以及延遲來采集不同時(shí)刻,樣品等離子體濺射過程。整個(gè)測(cè)試流程是激光聚焦打在樣品上,樣品會(huì)產(chǎn)生等離子體此時(shí)相機(jī)的曝光時(shí)間固定,曝光時(shí)間就相當(dāng)于一個(gè)“門",再通過時(shí)序來調(diào)節(jié)“門"相對(duì)于激光打在樣品上的時(shí)間為0來進(jìn)行延遲,從而分別拍出不同時(shí)間等離子體的濺射過程。